探究成型工艺对高介单层微波陶瓷电容器性能的影响

干室，在浆料溶剂的沸点之下烘干，最后生坯按所需形状进行切割、冲片或打孔。流延工艺是目前陶瓷薄型化的一个主流方式。表2是流延与轧膜工艺制备电容器的介电性能对比。从表2可以看出，在同样的烧结工艺下，流延工艺制备电容器的εr更小。这是由于流延工艺制备的生坯，烧结温度比较高，在相同的烧结条件下，晶粒生长比较细小。根据轧膜与流延工艺制备的陶瓷SEM照片（图2）</P> <P><IMG src="http://guanli.51lunwen.org//static.51lunwenwang.com/2010/1130/201011301123093075.jpg">也可以看出：在同样的烧结工艺下，轧膜工艺<A href="http://www.51lunwen.org/publishedpapers.html">论文代发网</A>提供<A href="http://www.51lunwen.org/publishedpapers.html">论文代发表</A>服务 <BR>得到的陶瓷晶粒较大。介电性能上，轧膜工艺制备的电容器εr更大。轧膜工艺得到的陶瓷晶粒粒径分布不均匀，这是由于轧膜工艺制备的生坯中粘合剂的含量相对较少，且粘合剂和陶瓷晶粒分布不均匀，以及成型过程中生坯受力不均，对胶体粒子和陶瓷晶粒都具有一定的定向作用，使生-60-40-20 0 20 40 60 80 100120140-10-505101520024650次70次85次100次–60–40–20 40 60 80 100 120 140t/℃?C•C–120/%1510–5–10?C•C1–%/6420antδ/012–tanδ10吕贤亮等：成型工艺对高介单层微波陶瓷电容器性能的影响Vol.29 No.5May 2010坯的力学强度与密度具有各向异性，导致陶瓷晶粒生长不均匀[7]。表2轧膜与流延工艺制备的电容器的介电性能Tab.2 Dielectric properties of capacitors prepared by roll forming processand tape-casting processtanδ/10–2?C•C–1/%成型工艺εr/104常温125℃–55℃125℃轧膜4.1 0.9 3.1 16.5–2.7流延2.5 0.9 3.1 20.5–9.1(a)流延工艺(b)轧膜工艺图2轧膜与流延工艺制备的陶瓷SEM照片Fig.2 SEM micrographs of ceramics prepared by the roll forming processand the tape-casting formation图3为相同烧结工艺下，轧膜和流延工艺所制备电容器的?C•C–1与温度的关系曲线。由图3可看出，流延工艺所制备电容器的?C•C–1相对大些，图3轧膜与流延工艺所制备电容器的?C•C–1与温度的关系曲线Fig.3?C•C–1of capacitors prepared by the roll forming process and thetape-casting process change with the temperature这是由于流延工艺制得的陶瓷晶粒更加细小，这样就会有更多的晶界，在相同量的涂覆料和热处理工艺条件下，假设涂覆料均匀分布，则各晶粒平均分到的涂覆料少，</P> <P><IMG style="WIDTH: 500px; HEIGHT: 279p